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Autores
Orientador(es)
Resumo(s)
Nesta dissertação são apresentados alguns estudos sobre diferentes óxidos metálicos: Óxido de estanho (SnOx), óxido de índio (InOx), óxido de cobre (CuxO) e óxido de titânio (TiOx). Com o óxido de estanho e o óxido de índio pretendeu-se averiguar a influência de diferentes tipos de recozimentos (diferentes atmosferas e temperaturas) nas suas propriedades optoelectrónicas. Foram estudados também vários parâmetros experimentais na tentativa de obter filmes finos condutores (tipo-n) e transparentes com bons valores de condutividade eléctrica e transmitância óptica no visível. Para o óxido de cobre o objectivo foi a determinação de condições experimentais que dão origem a um semicondutor transparente (do tipo-p) para futura integração em circuitos CMOS transparentes depositados à temperatura ambiente. Finalmente, é apresentado um estudo acerca de óxido de titânio nanoestruturado para integração em células fotovoltaicas de terceira geração. Para os óxidos de estanho, índio e cobre foi utilizado o sistema de evaporação térmica reactiva assistida por plasma enquanto que para o óxido de titânio foi utilizado um sistema de pulverização catódica reactiva pulsada. Para todos os materiais aqui apresentados foram desenvolvidas condições experimentais que por estarem associadas a baixas temperaturas possibilitam a deposição de filmes finos de óxidos metálicos em substratos flexíveis poliméricos.
Descrição
Dissertação para obtenção do Grau de Mestre em
Engenharia de Materiais
