Estatísticas para Transístores de efeito de campo de silício cristalino obtidos pelo método de pré-deposição de dopante a baixa temperatura
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| Transístores de efeito de campo de silício cristalino obtidos pelo método de pré-deposição de dopante a baixa temperatura | 168 |
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| outubro 2025 | 0 |
| novembro 2025 | 2 |
| dezembro 2025 | 5 |
| janeiro 2026 | 1 |
| fevereiro 2026 | 0 |
| março 2026 | 0 |
| abril 2026 | 1 |
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| Portugal | 60 |
| Brasil | 43 |
| Região desconhecida | 13 |
| Estados Unidos | 10 |
| Bélgica | 6 |
| China | 5 |
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