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Orientador(es)
Resumo(s)
Trióxido de Molibdénio (MoO3) é um semicondutor com um elevado hiato energético
(2;8-3;2 eV), cuja fase -MoO3 ortorrômbica tem vindo a demonstrar potencial para
várias aplicações. A presença de lacunas de oxigénio na rede, origina a introdução de
estados no interior do hiato energético, o que provoca modificações nas propriedades
elétricas e óticas do material.
Este trabalho consistiu na modificação das propriedades elétricas de cristais laminares
de MoO3 por processos de recozimento em ambiente controlado e implantação iónica com
diferentes fluências de oxigénio, tendo como aplicação futura, em perspetiva, o fabrico de
dispositivos funcionais. Caraterização elétrica e caraterização estrutural usando difração
de raios-X, foram realizadas após esses processos por forma a correlacionar as variações
nas propriedades elétricas e os tratamentos a que os cristais foram sujeitos. Por fim, foi
realizada caraterização elétrica durante a exposição, dos melhores dispositivos formados,
a ciclos de irradiação com radiação ultravioleta (UV) e com um feixe de protões de 2MeV,
de forma a compreender o potencial deste semicondutor como detetor UV e de partículas.
Com base nestes testes, concluiu-se que é difícil caraterizar amostras virgens devido,
não só à fragilidade dos cristais e baixa condutividade elétrica (que muitas vezes não é
mensurável com o equipamento disponibilizado), bem como, à variação da condutividade
com o grau de humidade da atmosfera onde os dispositivos se encontram. No entanto,
através de recozimentos e implantação iónica, é possível aumentar a condutividade dos
cristais de forma reprodutível tendo, no último caso, um maior controlo sobre a mesma
através do ajuste da fluência. Por outro lado, amostras recozidas revelaram não ser adequadas
para a utilização em sensores de radiação UV e partículas uma vez que, estas
apresentam respostas lentas e elevados tempos de recuperação quando irradiadas.
Descrição
Palavras-chave
Trióxido de Molibdénio Implantação Iónica Tratamentos Térmicos Fotocondutividade Persistente Iono-condutividade Persistente
