DSpace UNL

Faculdade de Ciências e Tecnologia (FCT) >
FCT R&D Units >
FCT: CENIMAT - Centro de Investigação de Materiais >
FCT: CENIMAT - Artigos em revista internacional com arbitragem científica >

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10362/3254

Título: Fully transparent ZnO thin-film transistor produced at room temperature
Autor: Fortunato, Elvira
Barquinha, P. M. C.
Pimentel, A. C. M. B. G.
Gonçalves, A. M. F.
Marques, A. J. S.
Pereira, L. M. N.
Martins, Rodrigo
Palavras-chave: Field-effect transistors
Zinc oxide
Issue Date: Mar-2005
Editora: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co.
Resumo: Fully transparent thin-film transistors (TFTs) are produced at room temperature by radiofrequency magnetron sputtering. Measuring the drain current (IDS) as a function of drain voltage (VDS) at different gate voltages (VGS) shows the TFTs possess hard saturation with on-currents of about 0.2 mA (see Figure) and saturation mobilities of 20 cm2 V-1 s-1. The optical and electrical properties and the compatibility of the fabrication process with low-cost plastic substrates show promise for invisible and flexible electronic circuits.
Descrição: Advanced Materials, Vol. 17, nº 5
URI: http://hdl.handle.net/10362/3254
Appears in Collections:FCT: CENIMAT - Artigos em revista internacional com arbitragem científica

Files in This Item:

There are no files associated with this item.

Please give feedback about this item
FacebookTwitterDeliciousLinkedInDiggGoogle BookmarksMySpace
Formato BibTex MendeleyEndnote Logotipo do DeGóis 

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.


Universidade Nova de Lisboa  - Feedback
Promotores do RCAAP   Financiadores do RCAAP

Fundação para a Ciência e a Tecnologia Universidade do Minho   Governo Português Ministério da Educação e Ciência PO Sociedade do Conhecimento (POSC) Portal oficial da União Europeia